Китайские ученые изобрели карту флеш-памяти атомного размера

Фото: Динар Фатыхов

Китайские ученые Фуданьского университета объявили об изобретении первого в мире двухмерного чипа флэш-памяти, использующего технологию CMOS. Эта разработка отличается атомной толщиной кремниевого материала, пишет РИА «Новости».

Исследование команды Фуданьского университета было опубликовано в авторитетном научном журнале Nature. По данным китайской газеты China Daily, новый чип объединяет ультрабыстрое устройство флэш-памяти с комплементарной структурой металлооксидного полупроводника (CMOS), что стало первой инженерной реализацией гибридного флэш-чипа на основе 2D-кремния.

• Разработка призвана ответить на резко возросший спрос на более быстрый доступ к данным, вызванный бурным развитием технологий искусственного интеллекта.